प्रभावशाली आयन बिमच्या सहाय्याने पदार्थांच्या गुणधर्मात बदल करण्याचे प्रयत्न

Submitted by उदय on 30 November, 2011 - 17:38

पार्श्वभूमी:
पदवी परिक्षा समाधान कारक गुणांनी उत्तिर्ण झाल्यावर पुण्याला विद्यापीठात प्रवेश मिळाला. शाळेत असतांना अभ्यासात सातत्याने चमकदार कामगिरी केल्याचे आठवत नाही. गणित तसेच विज्ञानात नेत्रदिपक गुण मिळायचे, मग टक्केवारी मधे समतोल राखण्यासाठी भाषा आणि जिवशास्त्राची मदत घ्यायचो. अभ्यास केल्यावर गुण मात्र चांगले मिळायचे....

लहान असतांना पासुन विज्ञाना बद्दल आवड होतीच, पण त्यापेक्षा गणिता कडे जास्त ओढा होता. भौतिकशास्त्र आणि गणित यांचे जवळचे नाते आहे त्यामुळे भैतिकशास्त्राचे आकर्षण वाढले. M.Sc. झाल्यावर थोडे अजुन शिकावे असे वाटले. थोडे म्हणजे किती हे सुरवातीला अजिबात ठरवले नव्हते. पदवी मिळवणे हे उदिष्ट कुठल्याही काळात नव्हते. विषय निवडी बाबत म्हणाल तर तुम्ही किती पाण्यात आहात (भारतिय प्रमाणानुसार किती हुशार आहात Happy ), आसपास संधी किती आणि कुठे आहेत, संधी आणि भविष्य कुठल्या विषयांत आहे, तुमचे परिस्थितीवरचे नियंत्रण (येथे वेळ timing महत्वाचे आहे) यावर सामान्यजनांची दिशा अवलंबुन असते.

साधारण: १९९२ मधे संशोधन कार्याला (पुणे विद्यापीठ पदार्थ विज्ञान विभाग) सुरवात केली. पहिले दोन वर्षे संशोधन काय असते, कशाशी खातात हे समजण्यात घालवली. संशोधनाच्या सुरवातीच्या काळातच काही अव्हानांचा सामना करावा लागला होता. म्हणजे अपेक्षीत निकाल मिळाले नाहीत. अपयश हिच यशाची पहिली पायरी असते असे आपल्या पुर्वजांनी सांगितले होते, त्यामुळे डगमगलो नाही. हे अपयश हे वैयक्तिक नसतेही, पण तुम्ही ज्या विषयांत काम करत आहात, जो मार्ग पत्करलेला आहे त्या मार्गाने नियोजीत ध्येय साध्य करता येणार नाही हे कळते... असो. तो एक निकाल असतो, अपयश नसते हे नंतर कळते.

ढोबळ अर्थाने भौतिकशास्त्र संशोधन मुख्यत: तिन प्रकारात मोडते - Theoretical, Experimental (applied), Computer simulation. तुम्हाला निव्वळ एका प्रकारात राहुन संशोधन कार्य करायचे अथवा अनेकांचा सहभाग घेत कार्य करायचे (experiments based on theory/ computer simulation) हे गुरु, त्यांचे प्रभावक्षेत्र, आणि तुम्ही ठरवतात. माझे सर्व संशोधन हे Experimental Physics प्रकारात मोडते. आता यामधे पुन्हा दोन प्रकार येतात, (अ) कुणितरी आधिच तयार केलेल्या set-up वर काम करणे, काम पुढे नेणे किंवा तो विकत घेणे व नंतर त्यावर संशोधन करायचे. (ब) संपुर्णत: नवे काही तरी तयार करणे - Design and Development of experimental set-up येथे बर्‍या पैकी Engineering aptitude लागतो.

संशोधन कार्य:
नव नवीन आधुनिक तंत्रांचा विकास होणे आणि मनुष्याची भौतिक प्रगती यांचा अत्यंत जवळचा संबंध आहे. ह्या तंत्रांचा विकास, त्यांची वाढत असलेली मागणी यांची पुर्तत करण्यासाठी पदार्थांचा विविध परिस्थितीत अभ्यास करणे विशेष गरजेचे भासते. १९८६ मधे ९० K तापमानाला अतिवाहकाचे (superconductor) काम करणारे पदार्थ लक्ष वेधतात तर १९८८ मधे मॅग्नेटो रेझिस्टंस (magneto resistance) बद्दल कुतुहल वाढीला लागते. आता त्यांचे गुणधर्म खुप उपयोगी आहेत... पण ते सर्व ९० K किंवा १३५ K या तापमानाला बघायला मिळतात. हे कमी तापमान liquid Nitrogen (७७ K) च्या सहयाने मिळवले जाते म्हणुन खर्चिक आणि काही aaplications च्या दृष्टिने अव्यावहार्य आहेत. आता संशोधकांची सर्व धावपळ हे उपयुक्त गुण सर्वसाधारण तापमानाकडे (म्हणजे room temperature ३०० K किंवा जवळ) दिसतात का या कडे असते.... तसे करता आले तर त्यांचे अनेक फायदे आहेत (ज्या ठिकाणी ७७ K तापमान साधणे शक्य नाही असे नवे दालने उघडतील) व ते कमी खर्चिक ठरेल...

उदा.: पदार्थांच्या विज वहाण्याच्या गुणाधर्मा नुसार धातू (metal), विज निरोधक (insulator), अर्धवाहक (semiconductor) असे विभाजन होते. अत्यंत शुद्ध सिलिकॉन (Si) मधे, साधारण तापमानात, विज वहाण्यासाठी खुप उपयोगी नाही आहे. पण त्यात काही Si च्या जागी फॉस्फरस (P) किंवा बोरॉन (B) किंवा अ‍ॅल्युमिनीअम (Al) किंवा आरसेनिक (As) पैकी एक काही असेल तर Si ची उपयोग क्षमता कमालीची वाढते याला. येथे Si ला एक इलेक्ट्रॉन दिला किंवा घेतला जातो व अशा प्रक्रियेला N-type किंवा P-type डोपिंग म्हणतात.

आता वर उल्लेख केलेल्या पदार्थांत (superconductors किंवा magnetoresistance) काही बदल केले तर त्यांची उपयुक्तता वाढेल का? असे प्रयत्न केले तर त्या प्रयत्नातुनच कधी संपुर्णत: नवे गुणधर्म असलेले पदार्थ निर्माण करता येतात. डोपिंग प्रक्रिया अत्यंत नियंत्रणात करण्या करता वापरले जाणारे एक तंत्र म्हणजे ion-implantation. मी implantation तंत्र काही ऑक्साईडची गुणधर्मे बदलण्यासाठी वापरले आहे.

Ion_Implanter_Schematic.jpg

आयन सोर्स मधे आयन तयार केले जातात. हे आयन्स कुठल्या elements चे हवेत, त्यांची energy किती असायला हवी याचा प्रथम अभ्यास केला जातो. आज काही software आणि simulation ची मदत घेता येते (यामुळे प्रयोगाची परिणामकारता वाढते). हे तयार झालेले + ve आयन्स मग extractor च्या सहाय्याने बाहेर काढले जातात. आता सर्व + ve असल्याने ते एकमेकां पासुन दुर जातात. त्यांना एकत्रीत ठेवण्याचे काम लेन्सेस करतात. हवे तेच आयन्स निवडण्याचे (filtering) काम इलेक्ट्रो-मॅग्नेट करतो, मॅग्नेटमधे charge /mass (e/m) नुसार हवे ते आयन्स निवडता येतात, नको असलेले भिंतीवर आदळुन नाहिसे होतात. पदार्थात किती खोलवर डोपिंग (तसेच डॅमेज) हवे आहे, त्यानुसार आयन्सला एनर्जी देण्याचे काम accelerator करतो. पुन्हा एकवार सर्वांना एकत्र रहा म्हणुन quadrupole lens तर्फे सांगितले जाते. मग हे आयन्स टारगेट चेंबर मधे असलेल्या पदार्थावर आदळतात. किती आयन्स येत आहेत हे मोजण्यासाठी फॅरेडे-कपचा वापर होतो. हवा असलेला डोस पुर्ण झाल्यावर, sample बदलले जाते किंवा प्रयोग थांबतो. काय उदिष्ट आहे या नुसार, कधी दोन वेगळ्या प्रकारच्या आयन्सचा मारा करण्यात येतो तर कधी energy बदलत ठेवुन surface - to - depth परिणाम साधला जातो. ज्या पदार्थावर ह्या आयन्सचा मारा केला आहे, त्यामुळे काही विध्वंसाचे (damage) काम देखील होते, ते काढण्यासाठी पदार्थ तापवला जातो (thermal annealing) किंवा डोपिंग प्रक्रिये दरम्यानच तापमान जास्त ठेवले जाते.

ऑक्साइडस मधे आयन्सचा मारा करण्याअगोदर त्याच्या सर्व गुणधर्मांचा (srtructural, electrical, optical) अभ्यास करायचा. मग काही key properties निवडुन त्यांची प्रत्येक छोट्या बदला नंतर नोंद घ्यायची. मी CuO, Fe3O4, LaCaMnO3 तिन ऑक्साइड्सची निवड केली, त्यांची तयार करण्याची प्रक्रिया Materials Synthesis या पुढच्या भागांत बघू. मी structure अभ्यासण्यासाठी x-ray diffraction (XRD) आणि eletrical properties साठी resistance versus temperature (R vs T) चा वापर केला. आता नुसतेच key properties निवडुन चालणार नाही तर ते सहज रितीने उपलब्द असायला हवेत. येथे तुम्ही काय करु शकता, आणि काय करायला हवे यावर मर्यादा येतात. मला प्रत्येक छोट्या बदलानंतर सहज उपलब्द असणारे साधने हवी होती. सुरवातीला एक छोटा डोस द्यायचा, मग XRD आणि R vs T अभ्यासायचे. त्यानंतर thermal annealing करायचे व पुन्हा गुणांत बदल झाले आहेत हे तपासायचे. यानंतर एक डोस व पुन्हा पुढचे चक्र... असो. सर्वात शेवटचा डोस झाल्यावर पुन्हा सर्व गुणधर्मांचा अभ्यास करायचा.

येथपर्यंत वायुपासुन (उदा: नायट्रोजन N2, ऑक्सिजन O2, अरगॉन Ar, झेनॉन Xe) आयन्स तयार करण्याचे तंत्र विकसित होते. माझ्या संशोधनाच्या काळात मी एक आयनसोर्स देखील विकसित केला आहे. हा सोर्स धातू पासुन (आयरन Fe, अलुमिनीअम Al, मँगनिज Mn, सोडिअम Na) आयन्स तयार करण्याची क्षमता ठेवतो. कुठलेही design and development चे काम अत्यंत क्लिष्ट, वेळकाढू असते, खुप कमी संशोधक design-development मधे असणार्‍या आव्हानांना जाणुन असतांत (त्यामुळे कमी लोकांकडुन दाद मिळते). येथे पेपर्स तुलनेने कमी (कधी तर नाही) होतात व frsutration येण्याची शक्यता बळावते.

energetic ion-beam ह्या तंत्राचा उपयोग कुठे, कसा होतो?
(क) सर्वात महत्वाचे micro - nano electronics, IC fabrication process मधे - अर्थात selective doping.
(ख) Biomedical applications मधे शरिरांत जाणार्‍या धातूच्या भागांवर नायट्रायडेशन (नायट्रोजन आयन्स चा मारा) केल्यास त्यांच्या पृष्ठभाग जास्त उपयुक्त बनतो. स्टिल (हार्ट वॉल्व साठी) किंवा टायटॅनिअम (गुडघा) वर नायट्रोजन आयन्स चा वापर करुन त्याची bio-compatibility वाढते. कृत्रिम सांध्याचे घर्षणाने तसेच chemical corrossion ने नुकसान होते - अशा सांध्यांचे आयुष्य वाढवण्यासाठी.
(ग) Metal Nitridation - Metal Hardening - cutting tools चे आयुष्य वाढवण्यासाठी.
(घ) काही प्रक्रियांमधे पृष्ठभाग स्वच्छ (ultra clean) असणे खुप महत्वाचे असते. कॉपर आणि सिलिकॉनवर ऑक्साइडचा थर जमा व्हायला वेळ लागत नाही, असा विद्दुत विरोधक थर असेल तर तुम्ही प्रयोग करु शकत नाथर. काही नाही तर पाण्याची वाफ असतेच. हे काढण्यासाठी Ar ion-beam सढळ हाताने वापर होतो. अर्थात त्या साठी वरिल अवाढव्य set-up लागत नाही.
(ड) Energetic ion-beam वर आधारित अनेक Analytical Characterizations वापरांत आहेत. उदा. Rutherfod Backscattering Spectrometry, Secondary Ion Mass Spectroscopy SIMS, Ion-beam milling.
(च) डायमंडचे रुपांतर ग्राफाइट मधे करता येते... तुम्हाला येथे selective writting करुन हवा तसा conducting path तयार करता येतो.
(छ) Ph.D. मिळवण्यासाठी :स्मित:.

keV - MeV ion-beams मधे काम करणार्‍या भारतातील संशोधन संस्था (यादी अपुर्ण आहे).
(१) The Inter University Accelerator Centre - New Delhi
(२) Tata Institute of Fundamental Research - Mumbai
(३) Institute of Physics - Bhubaneshwar
(४) Inter University Center - Calcutta
(५) Indira Gandhi Center for Atomic Research (IGCAR)
(६) Indian Institute of Technology - Kanpur

Group content visibility: 
Public - accessible to all site users

मस्त. वाचतो आहे.
आम्ही एनएसस्सीला जाऊन एकदा आयन इम्प्लांटींग केले होते. Happy

उदय,

मस्त माहिती. Happy थोडे प्रश्न चालतील ना? होकार गृहीत धरतोय!

१. चुंबक वर्तुळाकृती ठेवण्याचं कारण काय? बहुतेक सायक्लोट्रॉन इफेक्टसाठी वाटतंय. ठराविक विद्युतभार/वस्तुमान असलेले कण चुंबकाच्या वर्तुळाकार फटीतून प्रवास करतील, आणि बाकीचे भिंतींवर आदळून नष्ट होतील. हा तर्क बरोबर आहे का?

२. आकृतीत २,३,५,६ यांचे एकक kV (विभावंतर=व्होल्टेज) आहेत. ते keV (उर्जा=एनर्जी) हवे होते का?

३. आकृतीतल्या ७ व्या क्रमांकाच्या भागाचे एक्स-वाय स्कॅनरचे काम काय?

छान समजावून सांगितलीये माहिती. विशेषत: उपयोगांचे क्षेत्र खूपच विशाल वाटतंय.

आ.न.,
-गा.पै.

मस्त माहिती. थोडे प्रश्न चालतील ना? होकार गृहीत धरतोय!
---- प्रश्नांचे, शंकांचे निरसन करण्याचे सर्व प्रयत्न करेन.

१. चुंबक वर्तुळाकृती ठेवण्याचं कारण काय? बहुतेक सायक्लोट्रॉन इफेक्टसाठी वाटतंय. ठराविक विद्युतभार/वस्तुमान असलेले कण चुंबकाच्या वर्तुळाकार फटीतून प्रवास करतील, आणि बाकीचे भिंतींवर आदळून नष्ट होतील. हा तर्क बरोबर आहे का?
---- डोपिंग करतांना अत्यंत शुद्ध स्वरुपात आयन्स वापरतात. वेगवान असलेले आयन्स uniform मॅग्नेटिक फिल्ड (B) मधे वर्तुळ मार्गाने नेले जाता, वर्तुळाची त्रिज्या (R) आयन्सच्या वस्तुमान (M) आणि वेग (Energy, velocity) ठरवते R proportional to square root of product of mass M and envery V. तुम्हाला M वस्तुमानाचे आयन्स हवे आहेत. जे हलके (< M) आहेत ते जास्त वळतात, जे थोडे वजनदार (>M) आहेत ते कमी वळतात. नको असलेले सर्व आयन्स हे निर्वात पोकळीत (vacuum) स्टिलवर आदळतात. हेच तत्व अनेक प्रकारच्या मास स्पेकट्रोमिटरर्स मधे वापरले जाते.

मी पावर पॉईंट मधे ठोबळ ब्लॉक्स काढले आहेत पण सर्व प्रक्रिया निर्वात पोकळीतच होते.

२. आकृतीत २,३,५,६ यांचे एकक kV (विभावंतर=व्होल्टेज) आहेत. ते keV (उर्जा=एनर्जी) हवे होते का?
------ स्तुत्य प्रश्न आहे... kV हे किती विभावंतर वापरतो आहे हे दर्शवते. हे acceleration potential आहे म्हणुन ते kV मधे लिहीतात. हे acceleration potential वापरल्यामुळे आयन्सला energy मिळते ती keV मधे असते.
थोडक्यात मी ३०० kV अ‍ॅक्सलरेटरवर काम केले आणि आयन्स ची energy 300 keV होती.
http://en.wikipedia.org/wiki/Electronvolt

३. आकृतीतल्या ७ व्या क्रमांकाच्या भागाचे एक्स-वाय स्कॅनरचे काम काय?
------ मी हे लिहायला विसरलोच... बिमचा आकार ३ mm असेल तुम्हाला १० mm x १० mm या आकाराच्या पृष्ठ्भागावर implant करतांना बिम मागे-पुढे-वर्-खाली फिरवल्यास सोपे जाते... याने uniformity देखील साधली जाते.

छान लिहिता आहात. खरंतर संशोशन कार्याबद्दल लिहिलेलं माझ्या पार डोक्यावरुन गेलं किंवा मी कळून घ्यायचा प्रयत्नच केला नाही. अपयशाबद्दल जे म्हटलंत ते आवडलं.

धन्यवाद उदय! Happy

थोडे आजून प्रश्न!

१.
>> मी ३०० kV अ‍ॅक्सलरेटरवर काम केले आणि आयन्स ची energy 300 keV होती.
ज्या अणुकणावर एका इलेक्ट्रॉन एव्हढा विद्युतभार आहे त्यांच्या बाबतीत keV च्या ऐवजी kV वापरता येईलसं वाटतं. जर एखाद्या अणुकणावर २e एव्हढा भार असेल तर त्याला ३०० kV मधून चढवल्यावर त्यात २e * ३०० kV = ६०० kV ऊर्जा ओतली जाईल, नाहीका?

२. एक्स-वाय स्कॅनर : याच्या सहाय्याने झोताचा विस्तारही करता येतो का? म्हणजे जर ५ मिमी व्यासाचा झोत आहे तर त्याचा व्यास ३ मिमी किंवा ७ मिमी करता येतो का? उत्तर हो असेल तर भिंगाचं (लेन्स) कामही तेच आहे ना?

धन्यवाद! Happy

आ.न.,
-गा.पै.

ज्या अणुकणावर एका इलेक्ट्रॉन एव्हढा विद्युतभार आहे त्यांच्या बाबतीत keV च्या ऐवजी kV वापरता येईलसं वाटतं. जर एखाद्या अणुकणावर २e एव्हढा भार असेल तर त्याला ३०० kV मधून चढवल्यावर त्यात २e * ३०० kV = ६०० kV ऊर्जा ओतली जाईल, नाहीका?
----- मी थोडे अजुन विस्तृत करुन सांगायचा प्रयत्न करतो. समजा दोन टोकांमधे 10 kV applied potential आहे, तुमच्या कडे +, ++, 5+ असे तिन वेगवेगळे आयन्स (प्रत्येकाची तयार होण्याची probability वेगळी असणार आहे) आहेत. तिनही आयन्स सारख्याच अंतरातुन आणि applied potential मधुन गेल्यावर त्यांची energy 10 keV, 20 keV, 50 keV होणार. आता तिनही आयन्सची energy वेगळी आहे म्हणुन त्यांचा वेग V हा वेगळा असेल आणि म्हणुन त्यांनी स्विकारलेले वर्तुळ वेगळे असणार आहे.

http://www.iuac.ernet.in/infrastructure/accelerators/pelletron/Developme...
या ठिकाणी १६ MV applied potential असते व त्यामधुन ६+ किंवा ८+ असे आयन्सचा बाहेर येतात, तेव्हा त्यांच्या कडे ९६ MeV आणि 128 MeV अशी energy असते.

पुन्हा applied potential - हे kV किंवा MV मधे, येथे कुठले आयन्स, किती चार्ज असा संबंध नाही, ते facility capability दर्शवतात.
आयन्सची energy - हा शब्द प्रयोग असेल तर - keV अथवा MeV

२. एक्स-वाय स्कॅनर : याच्या सहाय्याने झोताचा विस्तारही करता येतो का? म्हणजे जर ५ मिमी व्यासाचा झोत आहे तर त्याचा व्यास ३ मिमी किंवा ७ मिमी करता येतो का? उत्तर हो असेल तर भिंगाचं (लेन्स) कामही तेच आहे ना?
----- विस्तार शब्द नाही वापरता येणार... समजा तुमच्याकडे २ मिमी व्यासाची पेन्सिल आहे, आणि तुम्हाला १० मिमी व्यासाचा वर्तुळ रंगवायचा आहे. २ मिमी पेन्सिलीचा व्यास मोठा वा लहान नाही करता येणार पण तुम्ही हात X - Y दिशेमधे ४ मिमी नेल्यास हवा असलेला सर्व भाग तुम्हाला व्यापणे जमेल... याला beam-steering म्हणतात.
दुसर्‍या प्रकारांत तुम्हाला बिम स्थिर ठेवुन आणि केवळ सँपल स्कॅन करुन हवे असलेले ध्येय (large area implantation) साध्य करता येते.

तुम्ही व्यास बदलवू शकता... कमी वा जास्त आणि मग त्या कामाला लेन्स अ‍ॅक्शन म्हणायचे. गरजेनुसार beam-profile मिळवता येते.

उदय,
तुमचा लेख अतिशय आवडला. फक्त संशोधनापर्यंतचा (किंवा नंतरचा) प्रवास न लिहिता तुम्ही तुमच्या संशोधनाबद्दलही सोप्या भाषेत लिहिलंत, याबद्दल तुमचे आभार. Happy

धन्यवाद उदय! आलं लक्षात! Happy

स्कॅनर का म्हणतात तेही कळलं आता! Happy

चिनूक्स म्हणतात तसा आपल्या कारकीर्दीचा प्रवास ऐकायला आवडेल.

आ.न.,
-गा.पै.

उदय, छान लिहिले आहेस.

सध्याच्या सौर्यसेल्सची एफिशिअन्सी खूप कमी असते. आयन बीम्सच्या मदतीने ती वाढवण्याकरता काही करता येईल का?
तसे काही प्रयत्न सुरु आहेत का याबद्दल काही माहीत आहे का?

तसे काही प्रयत्न सुरु आहेत का याबद्दल काही माहीत आहे का?

---- आजकाल सोलर, ग्रिन बद्दल लोकांमधे जागृती झालेली आहे. कार्यक्षमता वाढवण्याबद्दल अनेक ठिकाणी संशोधन सुरु आहे. सन-इवा (suniva), व्हेरियन या कंपनी यामधे काम करत आहेत. सन इवा च्या अनुसार त्यांना १८ ते २२ % पर्यंत कार्यक्षमता मिळालेली आहे.

http://www.pv-tech.org/product_reviews/new_product_varians_implanter_sol...

http://www.pv-tech.org/chip_shots_blog/solar_short_takes_suniva_implemen...

उदय,

आजून एक प्रश्न. आकृतीतल्या चुंबकांच्या बाबतीत.

F = qv X B = m*v*v/r ........ vector equation

B = magnetic induction
q = charge
v = velocity
m = mass
r = radius of the curved path

आता, v ही चतकोराची स्पर्शिका (tangent) आहे. केंद्रानुवर्ती बळ (centripital force) याची दिशा केंद्राकडे आहे. म्हणून B ची दिशा बाहेरून आत (into the screen) अशी पाहिजे.

चुंबकाचा उत्तर धृव वर (out of the screen) आणि दक्षिण धृव खाली (behind the screen) अशी रचना हवी. तर मग उपरोक्त आकृतीत वर्तुळाकार चुंबक वापरणे अनावश्यक ठरेल. किंबहुना वर्तुळाकार दिसतोय तो केवळ चलमार्ग (channel) असायला हवा.

मूळ विषय सोडून भलतंच तर काही विचारत बसलो नाहीना...? तसं असल्यास क्षमा असावी.

आ.न.,
-गा.पै.

मूळ विषय सोडून भलतंच तर काही विचारत बसलो नाहीना...?
---- अजिबातच नाही... अत्यंत महत्वाचे आहे, निव्वळ implantation मधेच नाही तर अनेक ठिकाणी हे (mass filter/ spectroscope) तंत्र वापरतात.

चुंबकाचा उत्तर धृव वर (out of the screen) आणि दक्षिण धृव खाली (behind the screen) अशी रचना हवी.
---- अगदी बरोबर.

तर मग उपरोक्त आकृतीत वर्तुळाकार चुंबक वापरणे अनावश्यक ठरेल. किंबहुना वर्तुळाकार दिसतोय तो केवळ चलमार्ग (channel) असायला हवा.
---- मी ठोकळे काढले आहेत. सेक्टर मॅग्नेट चा क्रॉस सेक्शन म्हणा हवा तर. कधी तरी अजुन मुळ लेखाला शेपटी लावेल...

उदय,

अत्याधुनिक विज्ञान आणि तंत्रज्ञानाची कापती धार म्हणावी अशा विषयावर तुम्ही संशोधन करत आहात. त्यात नक्की काय करत आहात हे इतरांना, विशेषत: विषयाशी संलग्न नसलेल्या मायबोलीकरांना समजावून सांगण्याचा तुम्हाला हुरूप आहे. त्याकरता वेळ खर्चून, मराठी शब्द हुडकून अतिशय काळजीपूर्वक हा लेख सिद्ध केला आहेत.

त्याकरता प्रथमत: मनःपूर्वक धन्यवाद आणि हार्दिक शुभेच्छा!

तुमच्या प्रत्येक अशा उपक्रमास अनेकानेक शुभेच्छा.

किमान पर्यायी शब्दशोधनाचे काम सुकर व्हावे म्हणून....

अक्र मूळ इंग्रजी शब्द पर्यायी मराठी शब्द

०१ Accelerator त्वरक
०२ Analytical Characterizations विश्लेषक स्वभावांकने
०३ Aplications उपायोजने
०४ Applied उपायोजित
०५ Ar-ion-beam अरगॉन-मूलक-शलाका
०६ Beam-profile शलाकेची रूपरेषा
०७ Beam-steering शलाका सुकाणू, शलाका फिरवणे
०८ Behind the screen पडद्यामागे
०९ Bio-compatibility जैव-परस्परपूरकता
१० Biomedical applications जैव-वैद्यकीय उपायोजने
११ Centripital force केंद्राकर्षी बल
१२ Channel वाहिनी
१३ Charge भार, विद्युत्‌-भार
१४ Charge/Mass (e/m) भार/वस्तुमान
१५ Chemical corrossion रासायनिक गंज-प्रक्रिया
१६ Computer simulation संगणक संजीवन
१७ Conducting path वाहक (परि) पथ
१८ Cutting tools कापण्याची अवजारे
१९ Damage हानी, इजा, र्‍हास
१० Design and Development of experimental set-up प्रायोगिक संचाचे अभिकल्पन आणि विकास
११ Doping वाहकरोपण
१२ Einzel Lens ऐंझेल भिंग
१३ Electrical विद्युत्शास्त्र
१४ Electron विजक
१५ Elements मूलद्रव्ये
१६ Eletrical properties विद्युत्‌-गुणधर्म
१७ Energetic ion-beam ऊर्जस्वल मूलक शलाका
१८ Energetic ion-beam ऊर्जस्वल मूलक शलाका
१९ Energy ऊर्जा
२० Engineering aptitude अभियांत्रिकी बुद्धिमत्ता
२१ Experimental प्रायोगिक
२२ Experimental Physics प्रायोगिक भौतिकशास्त्र
२३ Based on theory/ computer simulation सिद्धांत / संगणक संजीवनावर आधारित
२४ Extractor निष्कर्षण
२५ Filtering गाळणी
२६ Frsutration हताशा
२७ IC fabrication process समाकलित-मंडल बांधकाम-प्रक्रिया
२८ Implantation रोपण
२९ Insulator रोधक
३० Into the screen पडद्याच्या आत
३१ Ion Extractor मूलक निष्कर्षक
३२ Ion Implanter Schematic मूलक-रोपण-रचना
३३ Ion source मूलक स्त्रोत
३४ Ion-beam milling मूलक शलाका यंत्रप्रक्रिया
३५ Key properties कळीचे गुणधर्म
३६ Large area implantation मोठ्या क्षेत्रफळातील रोपण
३७ Liquid Nitrogen द्रव नत्र
३८ Magnetic induction चुंबकीय प्रेरणा
३९ Magneto Resistance चुंबकीय अवरोध
४० Mass वस्तुमान
४१ Mass filter वस्तुमान गाळणी
४२ Materials Synthesis पदार्थ संश्लेषण
४३ Metal धातू
४४ Metal Hardening धातू कठीणीकरण
४५ Metal Nitridation धातूचे नायट्रायडिंग
४६ Micro - nano electronics सूक्ष्म-अब्जांश विजकशास्त्र
४७ N-Type ऋणात्मक प्रकारचा
४८ Optical प्रकाशशास्त्र
४९ Out of the screen पडद्यातून बाहेर
५० Proportional to square root of product of mass and velocity वस्तुमान व वेगाच्या गुणाकाराच्या वर्गमुळाच्या प्रमाणात
५१ P-Type धनात्मक प्रकारचा
५२ Quadrupole चतुर्धृव
५३ Quadrupole lens चतुर्धृव भिंग
५४ Radius of the curved path वक्र पथाची त्रिज्या
५५ Resistance versus temperature तापमानासोबतचा अवरोध (बदल)
५६ Room Temperature कक्ष तापमान
५७ Rutherfod Backscattering Spectrometry रुदरफर्ड परत-विखुरण वर्णपटमापनशास्त्र
५८ Sample नमुना
५९ Secondary Ion Mass Spectroscopy SIMS दुय्यम मूलक वस्तुमान वर्णपटदर्शनशास्त्र
६० Sector Magnet (वर्तुळ) खंड चुंबक
६१ Selective doping निवडक वाहकरोपण
६२ Selective writing निवडक लेखन
६३ Semiconductor अर्धवाहक
६४ Set-up संच
६५ Simulation संजीवन
६६ Software संगणनकार्यप्रणाली
६७ Spectroscope वर्णपटदर्शक
६८ Srtructural संरचनात्मक
६९ Superconductor अतिवाहकाचे
७० Surface - to - depth पृष्ठापासून खोलीपर्यंत
७१ Tangent स्पर्शिका
७२ Target Chamber लक्ष्य कक्ष
७३ Theoretical सैद्धांतिक
७४ Thermal annealing औष्णिक मंद-शीतन
७५ Timing काळ-अवधान
७६ Ultra clean अतिस्वच्छता
७७ Uniform एकसमान
७८ Vector equation सदिश समीकरण
७९ Velocity वेग
८० X-ray diffraction (XRD) क्ष-किरण विवर्तन
८१ X-Y scanner क्ष-य चित्रांकन

नरेंद्र गोळे,

६५ क्रमांकाचा शब्द simulation आहे. त्याला संजीवन असं म्हणता येईल का? शंका वाटते. simulation हे एक प्रकारचं modelling असतं. म्हणून प्रारूपीकरण असा समानार्थी शब्द योजवासा वाटतो.

चूकभूल देणेघेणे.

आ.न.,
-गा.पै.

.